成都半导体FIB测试机构-聚焦离子束设备-优尔鸿信
服务项目 |
FIB测试,成都FIB测试机构 |
面向地区 |
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行业类型 |
电子电器 |
成都FIB测试机构
优尔鸿信，多年从事电子产品及半导体检测服务，机构的电子元件检测实验室配备有FIB聚焦离子束、扫描电镜、工业CT、超声波C-SAM等设备，可提供电子产品、电子元器件、半导体零件的质量检测及失效分析。
FIB 测试
工作原理：基于离子源产生的离子束，在电场作用下被加速并聚焦成细束，当高能离子束撞击到目标材料时，与材料原子发生相互作用，导致材料原子的逐层剥离，从而实现的微纳加工。
常见的是 FIB-SEM 双束系统，将单束 FIB 与 SEM 技术相结合，不仅能够进行的微纳加工，还能实现分辨率的成像，可同时进行离子束加工和电子束成像，地扩展了设备的应用范围。
FIB测试需知：
样品要求：粉末样品应至少 5 微米以上尺寸，块状或薄膜样品的大尺寸应小于 2 厘米，高度小于 3 毫米，且要求导电性良好，如果导电性比较差的话需要进行喷金或喷碳处理。
确定测试目的：明确是进行截面分析、芯片修复、TEM 样品制备还是其他，以便确定具体的测试流程和参数设置。
FIB测试项目：
截面分析：利用 FIB 的溅射刻蚀功能对样品进行的切割，观察其横截面的形貌和尺寸，并结合元素分析系统对截面成分进行分析，可帮助发现由于材料不均匀分布导致的局部过热等问题。
芯片修复与线路修改：能够改变电路连线的方向，诊断并修正电路中的错误，直接在芯片上进行修改，降低研发成本，加快研发速度。
TEM 样品制备：可以直接从样品中切取薄膜，用于透射电镜（TEM）的研究，缩短了样品制备的时间，提高了制样的度和成功率。
纳米器件的制造：能够在器件表面进行纳米级别的加工，对于纳米电子器件的制造和研究具有重要意义。
材料鉴定：可利用遂穿对比图像进行晶界或晶粒大小分布的分析，也可加装能谱仪（EDS）或二次离子质谱仪（SIMS）进行元素组成分析。
FIB相关设备：
扫描电子显微镜（SEM）：利用电子束扫描样品表面，产生二次电子、背散射电子等信号成像，可观察半导体器件的表面形貌、微观结构和缺陷，如裂纹、孔洞、短路、开路等。其分辨率较高，能对失效部位进行初步定位和观察，还可结合能谱仪（EDS）进行元素分析，确定是否存在杂质或异常元素分布。
透射电子显微镜（TEM）：通过电子束穿透样品形成图像，可提供半导体器件内部原子级别的结构信息，对于分析晶体结构、位错、界面缺陷等非常有效，常用于研究半导体材料的微观结构和缺陷对器件性能的影响。但 TEM 对样品制备要求，需要制备出极薄的样品。
原子力显微镜（AFM）：通过检测探针与样品表面之间的相互作用力来成像，可在纳米尺度上观察半导体器件的表面形貌、粗糙度、力学性能等，还能进行局部电学、磁学等特性的测量，对于研究半导体器件的表面物理和化学性质以及纳米尺度下的失效机制具有重要作用。
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