BSC123N08NS3G，场效应管(MOSFET)原装供货

IRF150P220AKMA1
采用 TO-150 封装的 247V 单 N 沟道强红外场效应管™功率 MOSFET
功能特性：
极低的RDS（开启）
出色的栅极电荷 x RDS（开启）（FOM）
优化的 Q 值RR
175°C 工作温度
根据JEDEC标准进行产品验证
针对分销合作伙伴提供的广泛可用性进行了优
降低传导损耗
高开关频率的理想选择
更低的过冲电压
与 150°C 额定部件相比，可靠性更高
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
BSC070N10NS3G
IRLR024NTRPBF
IRLR3410TRPBF
IRFR120NTRPBF
IRFR5410TRPBF
IRFR220NTRPBF
IRFR7440TRPBF
BSS308PEH6327
IRFR1205TRPBF
IRF7480MTRPBF
IRF9310TRPBF
BSS138NH6327
IRF7351TRPBF
BSC093N15NS5
BSS316NH6327
常用型号大量原装现货，更多型号请咨询，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

IRFR13N15DTRPBF产品特性：
采用 D-Pak 封装的 150V 单 N 沟道六通道六角形场效应管功率 MOSFET
符合 RoHS 标准
低导通电阻
行业的质量
动态 dv/dt 额定值
快速切换
完全雪崩额定
175°C 工作温度
LSI后缀中的I表示OptiMOS™的附加功能，即英飞凌超级势垒二极管（单片集成肖特基二极
管）。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
BSC0504NSI
IRF1104PBF
IPD053N06N
IRFBC20PBF
IPB057N06N
IRLZ24NPBF
IRF100B202
IRF2804PBF
IPP040N06N
SPA08N80C3
IRL2505PBF
IRFR5305TRPBF
IRFR024NTRPBF
IRLR8726TRPBF
IRLR7843TRPBF
常用型号大量现货，更多型号请咨询，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

英飞凌是世界上的功率半导体元件制造商，可提供品类的金属氧化物-硅晶体管产品组合。在于 2015 年收购美国国际整流器公司 (IRF) 后，英飞凌将所有 IRF MOSFET 产品及功率 MOSFET 纳入其产品体系，进一步加强和扩展了该产品组合，从而得以立足于行业。

英飞凌功率 MOSFET 产品组合为一系列应用提供的发电、电源和功耗解决方案，如太阳能微型逆变器、服务器、电信和电动车。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
BSC0702LS
IRF9540NPBF
IRFP250NPBF
BSS169H6327
IRFB3607PBF
IRFP260NPBF
IRFB4110PBF
IRFP250MPBF
IRFP150NPBF
BSS84PH6327
IRF5210PBF
IRLZ44NPBF
IRF630NPBF
IRFZ24NPBF
SPW47N60C3
英飞凌常用型号常备现货，交货快捷迅速，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

工业收发器
关键特性：
传输速率高达 2 Mbit/s
符合 ISO11898 标准
仅接收模式
支持故障条件
总线唤醒
符合 CAN FD 协议
核心优势：
低电流消耗
热保护
低功率模式
的 EMI 性能
待机/休眠模式
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
IRFS4615TRLPBF
IRF540NSTRRPBF
IRLR3705ZTRPBF
IRLZ24NSTRLPBF
IRFS3006TRL7PP
IPN60R360PFD7S
IRF2804STRL7PP
IRFHS8342TRPBF
BSS131H6327XTSA1
IPD60R400CEAUMA1
BSS139H6327XTSA1
BSS127H6327XTSA2
IPD350N06LGBTMA1
BSC028N06NSATMA1
IPT015N10N5ATMA1
欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

12V-40V N 沟道 MOSFET 产品组合
英飞凌的功率MOSFET 12 V-40 V产品组合分为两类。类是“主动和”，指的是提供同类佳性能和低R的新可用技术DS（开启）.第二类是“有源”，非常适合宽开关频率，并提供业界佳的品质因数（FOM）以及率和功率密度。广泛的产品组合OptiMOS™和StrongIRFET™为广泛的需求提供解决方案。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
BSC050N10NS5ATMA1
IPD031N06L3GATMA1
IPB042N10N3GATMA1
BSL308CH6327XTSA1
BSC070N10LS5ATMA1
BSZ099N06LS5ATMA1
BSO220N03MDGXUMA1
BSP171PH6327XTSA1
BSS315PH6327XTSA1
SN7002NH6327XTSA2
IPD60R180P7SAUMA1
IPD110N12N3GATMA1
IPD70R360P7SAUMA1
ISC080N10NM6ATMA1
BSC016N06NSTATMA1
更多型号请联系，手机，期待你的合作！

英飞凌广泛的 12 V-40 V N 沟道 MOSFET 产品组合小巧紧凑，包括OptiMOS™和StrongIRFET™适用于低、中、高功率应用的技术。
低压 12 V-40 V MOSFET 产品系列包括 20 V N 沟道功率 MOSFET、30 V N 沟道 MOSFET 和 40 V N 沟道 MOSFET。英飞凌的™ 光电产品组合提供更高的效率和功率密度，而庞大的产品组合强式红外场效应管™产品提供、坚固的设计以及的性能。通过提供两者OptiMOS™和StrongIRFET™在产品系列中，英飞凌提供节省空间的解决方案不仅优化了热性能，而且在减小尺寸的同时提高了额定电流。
Infineon英飞凌全系列型号大全（部分）：
BSC117N08NS5ATMA1
BSS123NH6433XTMA1
BSC040N10NS5ATMA1
BSZ040N06LS5ATMA1
IPD70R900P7SAUMA1
BSS138NH6433XTMA1
BSS123NH6327XTSA1
IPP040N06N3GXKSA1
IPD60R360P7SAUMA1
IPB200N25N3GATMA1
BSD223PH6327XTSA1
BSZ063N04LS6ATMA1
BSS192PH6327FTSA1
BSC110N15NS5ATMA1
IPD5N25S3430ATMA1
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