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陶氏,碳化硅切片胶

更新时间:2024-05-16 09:53:33 编号:c13k34afk519b2
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  • 硅晶碇切片胶,晶碇切片胶,碳化硅切片胶,单晶硅切片胶

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徐发杰

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湖北硅晶碇切片胶,FBI ,硅片清洗液 ,硅晶碇切片胶晶圆
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陶氏,碳化硅切片胶

TSV 互连具有缩短路径和更薄的封装尺⼨等优点,被认为是三维集成的核
术。 TSV 结构如下图所示,在硅板上面有加⼯完成的通孔;在通孔内由内到外
依次为电镀铜柱、绝缘层和阻挡层。绝缘层的作用是将硅板和填充的导电 材料
之间进⾏隔离绝缘,材料通常选用⼆氧化硅。由于铜原⼦在 TSV 制 造⼯艺流
程中可能会穿透⼆氧化硅绝缘层,导致封装器件产品性能的下降 甚⾄失效,⼀
般用化学稳定性较⾼的⾦属材料在电镀铜和绝缘层之间加⼯ 阻挡层。后是用
于信号导通的电镀铜。
深硅刻蚀设备
通常情况下,制造硅通孔(经常穿透多层⾦属和绝缘材料)采用深反 应离⼦刻蚀
技术(DRIE),常用的深硅刻蚀技术又称为“Bosch(博⽒)” ⼯艺,有初发明该项
技术的公司命名。 如下图所示,⼀个标准Bosch⼯艺循环包括选择性刻蚀和钝
化两个步 骤,其中选择性刻蚀过程采用的是SF6和O2两种⽓体,钝化过程采用
的是 C4F8⽓体。在Bosch⼯艺过程中,利用SF6等离⼦体刻蚀硅衬底,接
着利用C4F8等离⼦体作为钝化物沉积在硅衬底上,在这些⽓体中加⼊O2 等离
⼦体,能够有效控制刻蚀速率与选择性。因此,在Bosch刻蚀过程中 很自然地
形成了⻉壳状的刻蚀侧壁。
电镀铜填充设备
很多成本模型显示,TSV填充⼯艺是整个⼯艺流程中昂贵的步骤之⼀。 TSV
的主要成品率损耗之⼀是未填满的空洞。电镀铜⼯艺作为合适的硅 通孔填充
技术受到业内的普遍关注,其关键技术在于TSV⾼深宽比(通常 ⼤于10:1)通孔的
全填充电镀技术。

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详细资料

主营行业:灌封胶水
公司主营:灌封胶,三防漆,导电胶,导热垫片
采购产品:灌封胶,导热胶,导电胶,绝缘垫片
主营地区:北京
企业类型:有限责任公司(自然人投资或控股)
注册资金:人民币2000000万
公司成立时间:2016-02-02
员工人数:小于50
经营模式:生产+贸易型
最近年检时间:2016年
登记机关:朝阳分局
经营范围:技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让,销售社会公共安全设备、电子产品、仪器仪表,橡塑制品、五金交电(不从事实体店铺经营)、金属材料、化工产品(不含危险化学品)、计算机、软件及辅助设备。(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)
公司邮编:100000
公司电话:010-65747411
公司网站:www.syource.com
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